近日美光表示获得美国61.65亿美元（约为人民币450亿元）的直接资金资助，计划用于加强尖端DRAM供应能力。两个月时间里，美国芯片法案补贴计划已公布9家。另外近日存储市场动态频频，三星、Marvell、铠侠等相继披露了最新进展。

存储大厂获美补贴61.65亿美元加强尖端DRAM供应能力

12月10日，美国宣布，美国商务部根据《芯片与科学法案》激励计划，向美国存储芯片大厂美光科技提供高达61.65亿美元的直接资金资助，以支持美光科技未来20年内在纽约州投资1000亿美元和在爱达荷州投资250亿美元的产能建设计划，并将帮助其在先进存储制造领域的份额从目前的不到2%提高到2035年的约10%。据悉，商务部将根据美光项目里程碑的完成情况发放资金。此外，美国还宣布，商务部已与美光科技签署了一份不具约束力的初步条款备忘录 (PMT)，拟拨款高达2.75亿美元，用于支持美光扩建和现代化位于弗吉尼亚州马纳萨斯的工厂。

美国商务部表示，这项投资将通过加强国内尖端DRAM芯片的可靠供应，来帮助增强美国经济的韧性，上述国内尖端DRAM芯片是个人计算、工业、高性能计算、汽车、工业、无线通信和人工智能等先进技术的重要组成部分。另外美光的DRAM芯片还为该公司的高性能内存（HBM）提供动力，这对于实现新的AI模型至关重要。利用这笔资金，美光计划在纽约和爱达荷州扩大最先进内存半导体技术的开发和生产，并承诺在2030年前投入约500亿美元。

厂房建设的进一步细节也随之披露，拟议项目将包括把美光的1-alpha技术引入其马纳萨斯工厂，并显著提高每月晶圆产量。公开资料显示，美光的1-alpha节点是一种先进的DRAM工艺技术，在位密度、功率效率和性能方面都有显著的改进。

除美光外，据全球半导体观察不完全统计，美国政府在近两个月内接连宣布了多项芯片补贴计划，涉及企业包括Coherent、Skywater Technology Foundry、X-Fab、Absolics、Entegris、英特尔、格芯、台积电等。

存储市场加速迭代

产业链加快调整适配明年新发展

另外，近期三星、Marvell、铠侠等相继释放了最新市场动态，其中SK海力士新设AI芯片开发和量产部门；铠侠敲定发行价，SK海力士有望成为第三大股东；三星实现闪存技术革新，或计划明年增加先进存储产量；Marvell则推出定制HBM计算架构。

铠侠敲定发行价

铠侠将在12月18日于东京证券交易所IPO上市，12月9日，铠侠宣布，IPO每股发行价确定为1455日元。铠侠在11月22日获得东证上市许可时、所设定的预估发行价为1390日元，在根据投资人需求以及当前的市场环境后，将发行价提高至1455日元。

根据铠侠向金融厅提交的资料显示，在铠侠上市后，其大股东美国投资基金贝恩资本将出售1265万1200股铠侠股票、股票出售数较11月22日公布的数量(1444万7400股)减少12%。原先贝恩资本对铠侠的出资比重预估将从现行的56%降至51%，但因贝恩资本缩减出售数、预估将降至52%；东芝也将出售3772万8900股、出资比重将从41%降至32%。

Marvell推出定制HBM计算架构

12月10日，Marvell宣布推出一种新的定制HBM计算架构，使XPU能够实现更高的计算和内存密度，提高其定制XPU的性能、效率和TCO。Marvell正与云客户和领先的HBM制造商美光、三星电子和SK海力士合作，为下一代XPU定义和开发定制HBM解决方案。

据悉，Marvell定制的HBM计算架构通过其独特的HBM I/O接口设计，与标准HBM接口相比，可提高性能并将接口功耗降低高达70%。该架构还将传统的HBM支持电路从XPU边缘转移至HBM堆栈底部的基础裸片上，这一改变使得XPU芯片能够节省出最多25%的面积，用于计算能力的进一步扩展；另外，单一XPU所能连接的HBM堆栈数量也实现了最高33%的增长。这些改进提高了XPU的性能和能效，同时降低了云运营商的总拥有成本。

三星完成400层NAND技术研发，或计划明年增加先进存储产量

据韩媒报道，近期半导体存储大厂三星已完成400层NAND技术研发，并已于上月开始将这项先进技术转移到平泽园区一号工厂的大规模生产线上。据悉，三星计划于明年2月披露其1Tb容量400层堆叠TLC NAND Flash快闪存储器。至于量产时间则落在明年下半年开始。不过，有业内人士指出，如果加快生产速度，可能在第二季度末就开始量产。

值得注意的是，三星为400层NAND引入了“三层堆叠”技术。报道称，三星400层NAND Flash快闪存储器的成功研发，代表着NAND闪存技术的重大飞跃，该技术涉及将存储单元堆叠在三层，也标志着三星电子在该领域的重大进步。

除了技术研发取得重大进展外，三星电子还计划在2025年增加其先进存储器产品线的产量。包括在平泽园区安装新第9代（286层堆叠）的NAND Flash快闪存储器生产设施，月产能为3万-4万片晶圆。此外，三星还计划在中国西安工厂，继续将128层堆叠（V6）NAND Flash快闪存储器生产线，转换为236层堆叠（V8）NAND Flash快闪存储器产品制程。

SK海力士新设AI芯片开发和量产部门

12月5日，SK海力士宣布完成2025年的高管任命和组织架构优化。本次调整任命了1位总裁、33位新高管及2位研究员。为提升决策效率，该公司推行“C-Level”管理体系，依据核心职能分工明确责任与权限，业务单元被划分为包括AI基础设施（CMO）、未来技术研究院（CTO）、研发（CDO）和生产（CPO）在内的五大部门。

据介绍，新设的AI芯片开发部门整合了DRAM、NAND和解决方案的开发能力，着眼于下一代 AI 内存等未来技术，旨在促进公司整体的技术协同。新设的量产部门将统筹前端与后端内存生产，以推动技术工艺协同，并支持包括龙仁半导体集群在内的新工厂建设。公司还加强了全球事务团队，新增多名外交和贸易领域的专家，以应对地缘政治形势和全球主要半导体政策。

（文章来源于：全球半导体观察）